霍尔效应于1879年由Edwin Herbert Hall发现。他观察到一种作用于穿过磁通密度的运动电荷的力。当一个控制电流穿过该磁场时，载流子由于受到外加磁通密度所产生的洛仑兹力的影响，其轨迹发生偏移。这种偏移导致更多的载流子在导体的一端聚集，从而在导体两端形成一个电势差，这就是霍尔电压。霍尔效应的某些原理与温度相关，这就意味着，霍尔效应电流传感器必须包括或提供某种形式的温度补偿，而这会导致传感器体积和成本的增加。霍尔效应最简单实用的应用是开环传感器，它提供了体积最小、质量最轻、成本最低的电流测量解决方案，同时功耗也非常低。开环传感器可以测量直流、交流和复杂电流波形，同时还提供电流隔离。不过，开环传感器有一定局限性，例如磁路中的磁损耗导致的响应时间长及带宽不足、与温度相关的增益漂移相对较大。
相比之下，闭环传感器，也叫霍尔效应补偿式或“零磁通式”传感器，它利用霍尔元件电压在次级线圈中产生一个补偿电流，从而使总磁通量等于零。在零磁通量条件下运行霍尔元件消除随温度变化的增益漂移，这种结构还有一种显著的优势，可以扩大传感器带宽、缩短响应时间。不过，其主要不足是次级电源的电流消耗高，因为它必须提供补偿电流和偏置电流。
正因为它的局限性，导致霍尔效应电流传感器不再适用一些领域，尤其是MRI扫描领域。而LEM推出的解决方案主要针对这个应用领域，与霍尔效应技术相当，但是具备明显优势。它是一种双轴磁通门闭环传感器，也就是知名的HPCT。由于磁通门技术已经普及了一段时间，所以LEM可以采用这种技术并加以改良。最终研发的传感器精度非常高，温度失调漂移非常低，时间稳定性非常高。优秀的线性度、超低的输出噪声提高了HPCT的精度和分辨率，而超大测量带宽（直流到200kHz，-3dB）确保了该传感器广泛的应用领域。
对于较高频率范围，次级电流由两个次级线圈（Ws1和Ws2）之间产生的变压器效应产生。对于较低频率范围（包括直流），传感器起闭环磁通门传感器的作用，此时绕组Ws3和 Ws4用作磁通门感应线圈。除了用于精确控制医学成像系统的梯度放大器上电流以外， HPCT同样适用于其他需要高精度测量的场合，如精确电流调节电源内的反馈测量、试验台电源分析校准设备及实验室及计量仪器的电流测量。
目前，该类传感器的工作温度范围相对狭窄（一般为+10?c 至 +50?c）。不过LEM确信，这项技术会进一步发展，同时也将证明，HPCT传感器对MRI扫描前景的意义与霍尔效应传感器对它的推出的意义一样重大。正如霍尔效应自身的应用一样，基于霍尔效应的具有领先尖端性能的HPCT在未来可以开拓无限广阔的应用领域。本产品由 霍尔电流传感器提供 参考网址：http://www.njtxck.com
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