国机团体所属沈阳仪表院承担的沈阳市高新技术工业发展计划项目“高机能硅电容压力传感器”近日顺利通过验收。
该项目采用提高前辈的微电子和微机械加工相结合的工艺技术，在硅电容传感器设计、制造工艺技术、传感器封装结构等方面具有立异性，解决了硅电容传感器研制的工艺技术挫折，开发研制出完全拥有自主知识产权的新型高机能硅电容差压传感器产品，产品精度优于0.075%FS，技术水平达到海内领先、国际一流。
项目建成了年出产能力一万台的硅电容差压传感器出产线，实现了产品的系列化出产，并首次实现智能变送器产品核心传感器的国产化配套，打破了国外的技术关闭，填补了海内空缺。同时，作为上游核心器件，该项研究带动了传感器、变送器及相关仪表工业的发展，解决了有表无芯的题目，有效地支撑了高端装备制造工业链建设。
霍尔效应传感器工作原理 :
磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。图1-61所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
参考：霍尔电流传感器 http://www.njtxck.com/
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